1.单结晶体管的工作原理如图2(a)所示在电路中连接双基二极管，观察其特性。

2.首先在两个基极之间施加电压UBB，然后在发射极E和第一个基极B1之间施加电压UE，这个电压可以通过电位器RP来调节。

3.这样，电路可以变成图2(b)所示的形式，双基二极管可以用一个PN结和两个电阻RBRB2组成的等效电路代替。

4.(一)(二)图2中双基二极管的特性测试电路当基极间加一个电压UBB时，RB1上分压的电压在公式中称为分压比，与管结构有关，约为0.5 ~ 0.9。

5.2.当UE = UBB+UD时，单结晶体管的内PN结导通，发射极电流IE突然增大。

6.称这个突变点为峰值点P..

7.对应的电压UE和电流IE分别称为峰值电压UP和峰值电流IP。

8.显然，在峰值电压UP = UBB+UD的公式中，UD是单结晶体管中PN结的正向压降，一般取UD = 0.7V..

9.单结晶体管中的PN结导通后，大量空穴型载流子从发射极区(P区)发射到基极电压(N区)，IE迅速增大，E和B1之间的结变为低阻导通状态，RB1迅速减小，E和B1之间的电压UE也随之减小。

10.这种特性曲线的动态阻力为负，所以称为负阻力区。

11.而B2的电位高于E，空穴型载流子不会向B2移动，电阻RB2基本不变。

12.当发射极电流IE增加到一定值时，电压ue下降到最低点。

13.从直线上的这一点开始的特性称为谷点V。

14.与这一点相对应的是谷电压UV和谷电流IV。

牛皮克拉斯的大致内容分享到此结束，希望对各位有所帮助。

亲爱的朋友们大家好，编辑Mosimosi将为亲爱的朋友们解答以上问题。单结晶体管管脚判 off，单结晶体管，这个很多人还不知道，现在我们往下说！

15.之后通过调节RP继续增加发射极电流时，发射极电压略有上升，但变化不大。

16.谷点右侧的这部分特性称为饱和区。

17.综上所述，单结晶体管具有以下特点:(1)当发射极电压等于峰值电压UP时，单结晶体管导通。

18.导通后，当发射极电压小于谷电压UV时，单结晶体管将截止。

19.(2)单结晶体管的峰点到点电压UP与施加的固定电压UBB及其分压比有关。

20.分压比由管道结构决定，可视为常数。

21.对于具有不同分压比或不同施加电压UBB值的管道，峰值电压UP将是不同的。

22.(3)不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV不同。

23.谷电压约为2~5V。

24、在触发电路中，往往选择稍大一点、UV较低和IV较大的单结管，以增加输出脉冲幅度和相移范围。

25.单结晶体管触发电路单结晶体管触发的单相半控桥式整流器电路图3单结晶体管的伏安特性曲线1。调整RP，从零开始逐渐增加UE。

26.当UE比较小时(UE < UBB+UD)，单结晶体管中的PN结处于反向偏置，E和B1之间不导通，表现出很大的电阻。

27.当UE较小时，存在较小的反向漏电流。

28.随着UE的增加，这个电流逐渐变成几微安左右的正向漏电流。

29.这部分称为图3所示曲线中的截止区，即单结晶体管尚未导通的部分。