读懂生活百科，享受每天乐趣，这里是常识网生活区。接下来带大家看看栅氧化层 关于栅氧化层简述。

小伙伴们，你们好，常识网编辑墨迹哥今天来谈谈以上栅氧化层，关于栅氧化层简述问题，那么下面分享给亲们一起了解下吧。

为了有效地抑制短沟道效应，并保持良好的亚阈值斜率，栅氧化层厚度要和沟道长度以同样的比例下降。

对于0.1μm尺度的CMOS器件，栅氧化层厚度需达到3nm左右。

对于超薄氧化层而言，最大的问题是会发生量子隧道穿通效应。

栅氧化层的隧穿电流将随氧化层厚度的减少量指数增长，栅偏压1.5V时，氧化层厚度若从3.6nm降到1.5nm，栅电流密度大约会增长10个数量级。

文章到此就分享结束，希望对亲们有所帮助。